Στερεό SiC

Περιγραφή μέσων καρβιδίου πυριτίου

Το καρβίδιο του πυριτίου είναι ένα υλικό ημιαγωγών τρίτης γενιάς. Σε σύγκριση με τα συνηθισμένα υλικά πυριτίου, το καρβίδιο του πυριτίου έχει πολύ εξαιρετικά πλεονεκτήματα. Όχι μόνο ξεπερνά ορισμένες από τις ελλείψεις των συνηθισμένων υλικών πυριτίου, αλλά έχει επίσης πολύ καλή απόδοση στην κατανάλωση ενέργειας.

Το καρβίδιο του πυριτίου (SiC), το νιτρίδιο του γαλλίου (GaN), το νιτρίδιο του αργιλίου (ALN), το οξείδιο του γαλλίου (Ga2O3), κ.λπ., ονομάζονται συλλογικά υλικά ημιαγωγών ευρείας ζώνης, επειδή το πλάτος του διακένου είναι μεγαλύτερο από 2,2 eV και ονομάζονται επίσης και το τρίτο γενιά στην Κίνα. Υλικό ημιαγωγών.

Εάν ενδιαφέρεστε για τα προϊόντα μας, επικοινωνήστε μαζί μας τώρα! Μπορούμε να προσαρμόσουμε τα προϊόντα μας σύμφωνα με τις απαιτήσεις των πελατών!

Χονδρό καρβίδιο πυριτίουΠροσδιορισμός

Κατασκευαστές χονδροειδών καρβιδίου του πυριτίου στην Κίνα--Όμιλος ZhenAn

Κατασκευαστής Silicon Carbide 80 Grit-ZhenAn International

Προμηθευτής καρβιδίου του πυριτίου 80 grit-ZhenAn International

Πλεονεκτήματα ηλεκτρικής απόδοσης των συσκευών ισχύος καρβιδίου του πυριτίου:

1. Αντίσταση υψηλής τάσης: Το κρίσιμο ηλεκτρικό πεδίο διάσπασης είναι τόσο υψηλό όσο 2MV/cm (4H-SiC), επομένως έχει υψηλότερη αντίσταση τάσης (10 φορές αυτή του Si).

2. Εύκολη απαγωγή θερμότητας: Λόγω της υψηλής θερμικής αγωγιμότητας του υλικού SiC (τριπλάσιο του Si), η απαγωγή θερμότητας είναι ευκολότερη και η συσκευή μπορεί να λειτουργήσει σε υψηλότερες θερμοκρασίες περιβάλλοντος. Θεωρητικά, οι συσκευές ισχύος SiC μπορούν να λειτουργήσουν σε θερμοκρασία διασταύρωσης 175 μοιρών, έτσι ώστε το μέγεθος της ψύκτρας να μπορεί να μειωθεί σημαντικά.

3. Χαμηλή απώλεια αγωγιμότητας και απώλεια μεταγωγής: Το υλικό SiC έχει διπλάσια ταχύτητα κορεσμού ηλεκτρονίων από το Si, με αποτέλεσμα οι συσκευές SiC να έχουν εξαιρετικά χαμηλή αντίσταση αγωγιμότητας (1/100 από το Si) και χαμηλή απώλεια αγωγιμότητας. Το υλικό SiC έχει 3 φορές το εύρος ζώνης του Si, το ρεύμα διαρροής είναι αρκετές τάξεις μεγέθους μικρότερο από αυτό των συσκευών Si, γεγονός που μπορεί να μειώσει την απώλεια ισχύος των συσκευών ισχύος. δεν υπάρχει φαινόμενο ουράς ρεύματος κατά τη διαδικασία απενεργοποίησης και η απώλεια μεταγωγής είναι χαμηλή, γεγονός που μπορεί να αυξήσει σημαντικά τη συχνότητα μεταγωγής πρακτικών εφαρμογών. (10 φορές αυτό του Si).

4. Το μέγεθος της μονάδας ισχύος μπορεί να μειωθεί: Λόγω της υψηλής πυκνότητας ρεύματος της συσκευής (για παράδειγμα, τα προϊόντα Infineon μπορούν να φτάσουν τα 700 A/cm), στο ίδιο επίπεδο ισχύος, το μέγεθος συσκευασίας της πλήρους μονάδας ισχύος SiC ( SiC MOSFETsSiC SBD) είναι σημαντικά μικρότερο από τη μονάδα ισχύος Si IGBT.

60 90 Φωτογραφίες επίσκεψης πελατών από καρβίδιο πυριτίου Grit

FAQ

Ε: Πώς μπορείτε να ελέγξετε την ποιότητά σας;

Α: Για κάθε επεξεργασία παραγωγής, το ZhenAn έχει πλήρες σύστημα QC για τη χημική σύνθεση και τις φυσικές ιδιότητες. Μετά την παραγωγή, όλα τα προϊόντα θα ελεγχθούν και το πιστοποιητικό ποιότητας θα αποσταλεί μαζί με τα αγαθά.

Ε: Είστε κατασκευαστής ή έμπορος;

Α: Και τα δύο, όχι μόνο μπορούμε να παρέχουμε τα προϊόντα υψηλής ποιότητας με την καλύτερη τιμή, αλλά μπορούμε επίσης να προσφέρουμε την καλύτερη υπηρεσία προπώλησης και εξυπηρέτηση μετά την πώληση.

Ε: Παρέχετε δωρεάν δείγματα στερεού SiC;

Α: Φυσικά, είναι διαθέσιμα δωρεάν δείγματα.

Ε: Ποιος είναι ο χρόνος παράδοσης;

Α : Συνήθως χρειάζονται περίπου 15- 20 ημέρες μετά τη λήψη της PO.

Δημοφιλείς Ετικέτες: solid sic, Κίνα κατασκευαστές στερεών sic, προμηθευτές, εργοστάσιο